STMicroelectronics STP30NF20
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonBUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP30NF20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, TO-220 STripFET(TM) Power MOSFET
STP30NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 30 A, 200 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-CHANNEL 200V-0.065 OHM-30A-TO-220 LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=200 V, 30 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:30A; Resistance, Rds On:0.075ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:120A; No. of Pins:3; Power Dissipation:125W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.075ohm; SMD Marking:30NF20; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs th Max:4V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating30 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.597 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max75 mΩ
Resistance75 mΩ
Rise Time15.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant