STMicroelectronics STP200NF04
$ 1.77
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-09
LTD Date2019-02-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP100NF04
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP105N3LL
N-channel 30 V, 2.7 mOhm typ., 150 A STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP120N4F6
N-channel 40 V, 3.8 mOhm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP200NF04, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
STP200NF04 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 40 V, 3-PIN TO-220
N-CHANNEL 40V - 120A TO-220 STripFET™ II MOSFET
310W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 210nC@ 10 V 1N 40V 3.7m¦¸@ 90A,10V 120A 5.1nF@25V TO-220 4.6mm
N-Channel 40 V 3.7 mOhm Flange Mount SuperFET II Power Mosfet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 40V, 120A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 90A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max3.7 mΩ
Rise Time320 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant