STMicroelectronics STP180N10F3
$ 2.626
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-11228-5-ND | 918 | 1 | Tube | ||||||||
| Mouser | 511-STP180N10F3 | 2.763 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STP180N10F3 | 121 | 600 | Tube | 18h | |||||||
| Win Source | WS-STP180N10F3 | 26.000 | 40 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP180N10F3 | 16.714 | 7 | Tube | 3h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-04-02
LTD Date2022-10-02
Verwandte Teile
InfineonIPP045N10N3GXKSA1
100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
STMicroelectronicsSTP165N10F4
N-channel 100 V, 4.1 mΩ, 160 A TO-220, H²PAK STripFET͐2;2; DeepGATE͐2;2; Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP180N10F3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 4.5 mOhm, 120 A STripFET(TM) III Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
315W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 114.6nC@ 10 V 1N 100V 5.1m¦¸@ 60A,10V 120A 6.665nF@25V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time6.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.665 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max5.1 mΩ
Resistance5.1 MΩ
Rise Time97.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time99.9 ns
Turn-On Delay Time25.6 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant