STMicroelectronics STP12NM50FP
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP N-Channel 500 V 10A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP12NM50FP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STP12NM50FP N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP
Mosfet; Transistor Type:Mosfet; Transist |Stmicroelectronics STP12NM50FP.
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A - TO-220FP MDmesh(TM) POWER MOSFET
Ciiva
Transistor: N-Mosfet; Unipolar; 550V; 7.5A; 35W; To220Fp
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
35W(Tc) 30V 5V@ 50µA 39nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 350mΩ@ 6A,10V 12A 1nF@25V TO-220FP Through hole mounting 20mm(height)
MOSFET, N-CH, 500V, 12A, 35W, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max350 mΩ
Resistance350 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height20 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant