STMicroelectronics STP14NK50ZFP
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP15NK50ZFP
Mosfet Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 340 Mohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP14NK50ZFP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 500 V 380 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STP14NK50ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN TO-220FP
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
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MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; P
Mosfet, N Channel, 500V, 14A, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:14A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):340Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP14NK50ZFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant