STMicroelectronics STF19NM50N
$ 2.034
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-12572-5-ND | 970 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STF19NM50N | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | STF19NM50N | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | STF19NM50N | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Arrow Electronics | STF19NM50N | 0 | 1K |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF19NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 500V 250m¦¸@ 7A,10V 14A 1nF@50V TO-220FP
14 A 500 V 0.25 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 MΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant