STMicroelectronics STP12N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Single N-Channel 600 V 400 mOhm 32 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP12N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 600 V 450 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
85W(Tc) 25V 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 450mΩ@ 4.5A,10V 9A 538pF@100V TO-220 Through hole mounting 10.4mm(Length)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance538 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max450 mΩ
Schedule B8541290080
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