STMicroelectronics STP11NM60

N-channel 600 V, 0.4 Ohm, 11 A, TO-220, TO-220FP MDmesh(TM) Power MOSFET
$ 2.07
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP11NM60 herunter.

Factory Futures

Datasheet16 SeitenVor 20 Jahren

Farnell

TME

Newark

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-8.62%

CAD-Modelle

Laden Sie STMicroelectronics STP11NM60 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTP12NM50
Transistor MOSFET N Channel 500 Volt 12 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTP15NM65N
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP15NK50Z
N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
onsemiFQP13N50
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 500 V, 12.5 A, 430 mΩ, TO-220
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 14 A, 400 mΩ, TO-220

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STP11NM60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 600 V, 0.4 Ohm, 11 A, TO-220, TO-220FP MDmesh(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 650V, 11A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP11NM60

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • STP11NM60.