STMicroelectronics STP80N6F6
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Verwandte Teile
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
NXP SemiconductorsBUK753R5-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPP80N06S407AKSA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP80N6F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STP80N6F6 N-channel MOSFET Transistor, 110 A, 60 V, 3-Pin TO-220
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
120W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 122nC@ 10 V 1N 60V 5.8m¦¸@ 50A,10V 110A 7.48nF@25V TO-220 9.15mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.48 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max5.8 mΩ
Resistance5 mΩ
Schedule B8541290080
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant