STMicroelectronics STP10NM65N
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP11NM50N
N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 8.5 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP10NM65N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-channel 650V - 0.43Y - 9A - TO-220/FP- IPAK - DPAKN-channel 650V - 0.43Y - 9A - TO-220/FP- IPAK - DPAKSecond generation MDmesh
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 650V, 9A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):430mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:9A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:90W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max480 mΩ
Resistance480 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant