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STMicroelectronics STP10NM60N

N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
$ 1.28
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Future Electronics
3
STP10NM60N
9.500
50
Tube
USD
3,280
3,170
3,120
Verical
STP10NM60N
2.000
1K
USD
1,150
1,138
Arrow Electronics
STP10NM60N
2.000
1K
USD
1,143
1,132
TME
2
STP10NM60N
150
1
USD
3,340
2,080
1,670
1,280
1,090
23h
DigiKey
497-9098-5-ND
986
1
Tube
USD
4,020
2,636
1,846
1,509
1,509

Datenblätter und Dokumente

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STMicroelectronics

Datasheet28 SeitenVor 13 Jahren

element14 APAC

Newark

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsSTP10NM60N
STMicroelectronicsSTP10NM60ND
Price @ 1000
$ 1.28
$ 0.965
Stock
258,728
137,544
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
Threshold Voltage
3 V
4 V
Rds On Max
550 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
70 W
70 W
Input Capacitance
540 pF
577 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)

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Details
onsemiFCP380N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600V, 10.2A, 380mΩ, TO-220
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STP10NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Win Source
STP10NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10 A, 600 V, 3-PIN TO-220
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel 650 V 0.55 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
Future Electronics
STMicroelectronics N-Channel MOSFET MDmesh, Vds=600V 10A TO-220 TH 3-Pin
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:10A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:70W; No. Of Pins:3Pins; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP10NM60N.
Newark

Bilder

RS
Newark
TME
Lanka Micro
LZChips
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • STP10NM60N.