STMicroelectronics STP13NM60N
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP13NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STP13NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 600 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.5 A, 0.28 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-CHANNEL 600 VOLT, 280 MILLI OHM TYP., 11 AMP MDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 11A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:90W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance790 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max360 mΩ
Resistance360 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant