STMicroelectronics STB34N65M5

N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
$ 2.708
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STB34N65M5 herunter.

IHS

Datasheet22 SeitenVor 13 Jahren

Components Direct

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-33.16%

CAD-Modelle

Laden Sie STMicroelectronics STB34N65M5 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTB38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB36NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, FRFET®, 600 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STB34N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB34N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 28 A, 710 V, 3-Pin D2PAK
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 62.5nC@ 10 V 1N 650V 110m¦¸@ 14A,10V 28A 2.7nF@100V D2PAK,TO-263
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 650V, 28A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics