STMicroelectronics STL21N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP20NF06L
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsVNP14NV04-E
VNP14NV04 Series 40 V 35 mOhm Fully Autoprotected Power MOSFET - TO 220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL21N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.175 Ohm, 2.7 A PowerFLAT(TM) 8x8 HV MDmesh(TM) V power MOSFET
Mosfet, N-Ch, 650V, 17A, Powerflat Hv Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STL21N65M5
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
2.7 A 650 V 0.19 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 650V, 2.7A, PowerFLAT 8x8 HV, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 650V, 17A, POWERFLAT HV;
MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time37 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant