STMicroelectronics STP20NF06L
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP16NF06L
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP20NF06L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Transistor MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
STP20NF06L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 60 V, 3-PIN TO-220
N-Channel 60 V 0.07 Ohm Flange Mount STripFET II Power MosFet - TO-220
N-CHANNEL 60 V, 0.06 OHM, 20A STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N Ch, 60V, 20A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:10A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP20NF06L
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant