STMicroelectronics STL120N2VH5
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Verwandte Teile
InfineonIRLH6224TRPBF
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 by 6 package, PG-TDSON-8, RoHS
Diodes Inc.DMN2005UPS-13
Mosfet, N-Ch, 20V, 100A, Powerdi 5060 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2005UPS-13
onsemiNTB125N02RT4
Cut Tape (CT) Surface Mount N-CHANNEL Single Mosfet Transistor 120.5A 1.98W 21ns 24V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL120N2VH5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 20 V, 0.002 Ohm, 28 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMICROELECTRONICS STL120N2VH5 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 20 V, 0.002 ohm, 4.5 V, 700 mV
MOSFET, N CH, 20V, 28A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:80W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerFLAT; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:120A
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance4.66 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time76 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height880 µm
Length4.75 mm
Width5.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant