STMicroelectronics STB80NF55-06-1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
Verwandte Teile
InfineonIPI80N06S207AKSA2
55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI80N04S404AKSA1
40V, N-Ch, 4.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
onsemi2SK4066-1E
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 100A Ta 100A 1.65W 750ns
InfineonIPI80N06S2L05AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 / N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB80NF55-06-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK / Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STB80NF55-06-1
80 A 55 V 0.0065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Automotive Power Discrete, 55V, 80A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant