STMicroelectronics STB80NF55L-08-1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-08-09
LTD Date2019-02-09
Verwandte Teile
InfineonIRL1104LPBF
MOSFET N-CH 40V 104A TO262 "N-Channel 40 V 104A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-262"
InfineonIPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
InfineonIPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB80NF55L-08-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
300W(Tc) 16V 2.5V@ 250µA 100nC@ 4.5 V 1individualNChannel 55V 8mΩ@ 40A,10V 80A 4.35nF@25V I2PAK Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.10%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.35 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time145 ns
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant