STMicroelectronics STI34N65M5
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STI34N65M5 | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Microchip USA | STI34N65M5 | 1.952 | 300 | Tube | 4d | |||||||
| Win Source | WS-STI34N65M5 | 20 | 8 | 8h | ||||||||
| Worldway Electronics | STI34N65M5 | 27.228 | 7 | Tube | 7h | |||||||
| GreenTree Electronics | STI34N65M5 | 1.000 | 5h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI30N65M5
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET I2PAK
InfineonIPI60R099CPXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
InfineonIPI60R099CPAAKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube / CoolMOS Power Transistor
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI34N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in I2PAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
new, original packaged
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time7.5 ns
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time8.7 ns
Datenblätter und Dokumente
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