STMicroelectronics STI30N65M5
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm typ., 24 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
InfineonIPI60R125CPXKSA1
N-Channel 650 V 25 A 208 W 125 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO262-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI30N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET I2PAK
MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N CH, 650V, 22A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance139 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max139 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant