STMicroelectronics STGY80H65DFB
$ 9.28
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFGH75T65UPD-F085
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGWA80H65FB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MicrochipAPT45GR65B
Igbt Mos 8 650 V 45 A To-247 3 To-247 Tube Rohs Compliant: Yes |Microchip APT45GR65B
LittelfuseIXXH40N65B4
Trench Series - 650V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
STMicroelectronicsSTGW80V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGY80H65DFB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time85 ns
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