STMicroelectronics STGW80V60DF
$ 4.032
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.28%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGW80V60DF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STGW80V60DF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-06-09
LTD Date2024-12-09
Verwandte Teile
onsemiFGH60N60SMD-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
onsemiFGY75N60SMD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube / IGBT 600V 150A 750W POWER-247
onsemiFGH60N60SFDTU-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIGW75N60TFKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, PG-TO247-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW80V60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
469W 120A 600V FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
STGW80V60DF, IGBT TRANSISTOR, 120 A 600 V, 3-PIN TO-247
Short-circuit rugged IGBT, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
IGBT N-Ch 600V 80A High-Speed TO247
IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Igbt, Single, 600V, 120A, To-247-3; Dc Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.85V; Power Dissipation Pd:469W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:600V; Transistor Case Style:To-247; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW80V60DF
TO247 IGBT 80A 600V TRENCH GAT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.28%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current80 A
Forward Voltage1.9 V
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time60 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGW80V60DF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant