STMicroelectronics STGW25S120DF3
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InfineonIRG7PH35UD-EP
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with UltraFast Soft Recovery Diode
InfineonIRG7PH35UDPBF
TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW25S120DF3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
Igbt, Single, 1.2Kv, 50A, To-247-3; |Stmicroelectronics STGW25S120DF3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
375W 1.6V 2.1V@ 15V,25A 50A TO-247-3 20.15mm
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of P
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time265 ns
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