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STMicroelectronics STGW60H65DF

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode
Obsolete
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 14 Jahren

Factory Futures

STMicroelectronics

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2020-10-11
LTD Date2021-04-11

Verwandte Teile

650V, 50A, Field Stop Trench IGBT 650V, 50A, Field Stop Trench IGBT
IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW80H65DFB
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT 650V 85A TO247-3 IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 IGBT Trench 650 V 120 A 395 W Through Hole PG-TO247-3

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGW60H65DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode
STGW60H65DF Series 650 V 120 A Field Stop Trench Gate IGBT - TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 350V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IC REG CTRLR PHOTOV 1OUT 28TSSOP
STMICROELECTRONICS STGW60H65DF IGBTS

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics