onsemi NGTB60N60SWG
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
onsemiNGTB45N60S1WG
ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
onsemiNGTB45N60S2WG
ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S2WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
STMicroelectronicsSTGW50H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW50HF60SD
60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NGTB60N60SWG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
ON SEMICONDUCTOR NGTB60N60SWGIGBT Single Transistor, 120 A, 2 V, 298 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
NGTB60N60SWG, IGBT TRANSISTOR, 120 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN TO-247
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
600V/60A IGBT LPT TO-247; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 298W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; O
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation298 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time76 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height21.08 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
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