Infineon IGW75N65H5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW60H65DRF
STGW60H65DRF Series 650 V 120 A Field Stop Trench Gate IGBT - TO-247
onsemiFGH60N60SFDTU
IGBT 600V 60A 378W TO247 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IGW75N65H5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.
IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pi
Igbt, Single, 650V, 120A, To-247; Continuous Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:395W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGW75N65H5XKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current120 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation395 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation395 W
Turn-Off Delay Time174 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height25.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen