STMicroelectronics STGW50HF60SD
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGW50HF60SD herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STGW50HF60SD Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Verwandte Teile
onsemiNGTB40N60L2WG
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247 / IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 417 W Through Hole TO-247-3
onsemiNGTB45N60S1WG
ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW60V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed
STMicroelectronicsSTGW40V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW50HF60SD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STMICROELECTRONICS STGW50HF60SD IGBT Single Transistor, 110 A, 600 V, 284 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
IGBT 600V 60A Low Drop Soft, Diode TO247
IGBT,W DIODE, 600V, 60A, TO-247
IGBT,W DIODE, 600V, 60A, TO-247; DC Collector Current: 110A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600V; Power Dissipation Pd: 284W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current110 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation284 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation284 W
Reverse Recovery Time67 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGW50HF60SD herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant