STMicroelectronics STGW40V60DF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
onsemiFGH40N60SMD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW40V60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
283W 80A 600V FS(Field Stop) TO-247S IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
TO247 IGBT 40A 600V TRENCH GAT
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
STGW40V60DF, 40 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN TO-247
STMICROELECTRONICS STGW40V60DF
IGBT, SINGLE, 600V, 80A, TO-247; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 283W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins:
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation283 W
Reverse Recovery Time41 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant