STMicroelectronics STGW40H120F2
$ 3.13
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-STGW40H120F2-ND | 540 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGW40H120F2 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | STGW40H120F2 | 0 | 600 | 16h | ||||||||
| Arrow Electronics | STGW40H120F2 | 0 | 600 | |||||||||
| Mouser | 511-STGW40H120F2 | 434 | 1 | Tube |
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Verwandte Teile
onsemiFGH40T120SMD-F155
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
International RectifierIRG8P50N120KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW40H120F2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IGBT 1200V 40A HS TO-247 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 468 W Through Hole TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Igbt |Stmicroelectronics STGW40H120F2
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
468W 2.1V 2.6V@ 15V,40A 80A TO-247-3 20.15mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -14.29%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation468 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1