Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-03-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGH20N6S2D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TO-247, COMP, N-CH 600V SMPS II SERIES IGBT W/STEALTH DIODE
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 2.7V @ 15V 7A 28A 125W 31ns
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Max Collector Current28 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Reverse Recovery Time31 ns
Rise Time4.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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