STMicroelectronics STGP20H60DF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGP20V60DF
IGBT 600V 40A 167W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 167 W Through Hole TO-220
STMicroelectronicsSTGP19NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP19NC60SD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIKP15N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP20H60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
167W 40A 600V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
IGBT, SINGLE, 600V, 40A, TO-220; Continuous Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:167W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation167 W
Reverse Recovery Time90 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant