STMicroelectronics STGP19NC60SD
$ 1.05
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-7013-5-ND | 726 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGP19NC60SD | 478 | 1 | 8h | ||||||||
| Future Electronics | STGP19NC60SD | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | STGP19NC60SD | 0 | 1K | 21h | ||||||||
| Arrow Electronics | STGP19NC60SD | 0 | 1K |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGP20V60DF
IGBT 600V 40A 167W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 167 W Through Hole TO-220
STMicroelectronicsSTGP20H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
InfineonIKA15N60TXKSA1
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIKP10N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP19NC60SD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STGP19NC60SD Series 600 V 40 A Very Fast IGBT Flange Mount - TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current20 A
Forward Voltage2.3 V
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time31 ns
Turn-Off Delay Time175 ns
Turn-On Delay Time17.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant