STMicroelectronics STFI10NK60Z
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STFI10NK60Z herunter.
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI13NK60Z
N-channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFQI12N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFQI12N60TU
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK / Trans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
STMicroelectronicsSTFI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI10NK60Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK FP Tube
10 A 600 V 0.75 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 600V 0.65 Ohm 10A SuperMESH
TRANS SUPERMESH PWR MOSFET N-CH 600V I2PAKFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STFI10NK60Z herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant