STMicroelectronics STFH10N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF10N60M2
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N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R650CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 20.5 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFH10N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP / N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FPAB
N-Channel 600 V 600 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 13.5nC@ 10 V 1N 600V 600m¦¸@ 9A,10V 7.5A 400pF@100V TO-220FPAB 11.1mm
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 7.5A, To-220Fp-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.55Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STFH10N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
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