STMicroelectronics STF10N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF10N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7.5 A, 600 Milliohms, TO-220FP, 3 Pins, Through Hole
STF10N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.5 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
N-Channel 600 V 600 mOhm Flange Mount MDmesh II Plus Power Mosfet -TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 7.5A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:7.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF10N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant