STMicroelectronics STF9NM50N
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
Verwandte Teile
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InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF9NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor STF9NM50N N-Channel MOSFET 500 Volt 7.5 Amp TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
7.5 A 500 V 0.56 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance560 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance570 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max560 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren