STMicroelectronics STF6N95K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP10NK80ZFP
N-Channel 800V - 0.8 Ohm - 9A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
onsemiFQPF9N90CT
MOSFET, N CH, 900V, 1.12OHM, 8A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF6N95K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 13nC@ 10 V 1N 950V 1.25¦¸@ 3A,10V 9A 450pF@100V TO-220FP 20mm
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 950V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 9A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF6N95K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance1.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.25 Ω
Resistance1.25 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Length10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant