onsemi FQPF8N80C

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 800 V, 8 A, 1.55 Ω, TO-220F
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FQPF8N80C700198
4h
Flip ElectronicsFQPF8N80C700
6d
NewarkFQPF8N80C01K
element14 APACFQPF8N80C01
15h
FarnellFQPF8N80C01
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

onsemi

Factory Futures

Farnell

Fairchild Semiconductor

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiFQPF8N80C
onsemiFQPF8N80CYDTU
Price @ 1000
$ 1.363
Stock
273,858
270,659
Authorized Distributors
5
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
Threshold Voltage
5 V
-
Rds On Max
1.55 Ω
1.55 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
59 W
59 W
Input Capacitance
2.05 nF
2.05 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLIFETIME (Last Updated: 3 years ago)

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MOSFET N-CH 900V 8A TO-220FP / Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQPF8N80C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 8 A, 1.55 Ω, TO-220F
onsemi
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Through Hole
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):1.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:59W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220F; Power Dissipation Pd:59W; Power Dissipation Pd:59W; Pulse Current Idm:32A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Augswan
TME
element14 APAC
South Microelectronics
iiiC
iiiC
Future Electronics
Conrad
LCSC
Rochester Electronics
Newark

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FQPF8N80C.