STMicroelectronics STF4N52K3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF4N52K3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD4NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 2.4 Ohm - 3A DPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) PowerMOSFET
onsemiFQD2N60CTF
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF4N52K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ohm typ., SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET N-Channel 525V 2.5A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 525V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 525V, 2.5A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:525V; On Resistance Rds(on):2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage525 V
Drain to Source Resistance2.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance334 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max2.6 Ω
Resistance2.6 Ω
Rise Time7 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length7 mm
Width6.6 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF4N52K3 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant