STMicroelectronics STD3LN62K3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| element14 APAC | STD3LN62K3 | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Farnell | STD3LN62K3 | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Microchip USA | STD3LN62K3 | 195 | 3500 | Tray | 18h | |||||||
| Component Stockers USA | STD3LN62K3 | 404 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-STD3LN62K3 | 9.500 | 125 | 2h |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD4NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 2.4 Ohm - 3A DPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) PowerMOSFET
VishayIRFR420TRPBF
Single N-Channel 500 V 3 O 19 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-252 (DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD3LN62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 2.5 Ohm, 2.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET DPAK
STD3LN62K3 N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 620 V, 3-Pin TO-252
N-Channel 620 V 3 Ohm Surface Mount SuperMesh III Power MosFet - TO-252-3
620 V, 2.5 A, 2.5 OHM N-CHANNEL SUPERMESH3 POWER MOSFET DPAK Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 620V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N Ch, 620V, 2.5A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:620V; Continuous Drain Current Id:2.5A; On Resistance Rds(On):2.5Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD3LN62K3
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance386 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation45 W
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant