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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF2LN60K3
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF4N60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
36W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 20nC@ 10V 1N 600V 2.2¦¸@ 1.3A,10V 670pF@25V TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:2.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Case Style:TO-220F; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:10.4A; Power Dissipation:36W; Power, Pd:36W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:600V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Current Rating2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance670 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation36 W
Rds On Max2.2 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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