STMicroelectronics STF2NK60Z
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STF2NK60Z | 2.625 | 3500 | Tray | 7h | |||||||
| Component Stockers USA | STF2NK60Z | 436 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-STF2NK60Z | 7.000 | 12 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | STF2NK60Z | 8.832 | 7 | Tube | 14h | |||||||
| Aztech | STF2NK60Z | 7.764 | 11h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-10
LTD Date2013-05-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
STMicroelectronicsSTF2HNK60Z
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF2NK60Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NN-CHANNEL 600V 7.2 Ohm 1.4A TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance170 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max8 Ω
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant