STMicroelectronics STF18NM80
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF21NM60ND
N-Channel 600 V 220 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTF25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF18NM80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STF18NM80 N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP / Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
40W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 70nC@ 10 V 1N 800V 295m¦¸@ 8.5A,10V 17A 2.07nF@50V TO-220FP 20mm
800V 17A 295m´Î@10V8.5A 40W 5V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
MOSFET, N CH, 800V, 17A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max295 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant