STMicroelectronics STF13NK50Z
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF13NK50Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 11 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STF13NK50Z N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 480 mOhm, TO-220FP, 3 Pins, Through Hole
500V 11A 30W 480m´Î@10V6.5A 4.5V@100Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
500V N-CH MOSFET, 11A, 480mR, TO-220FP, Zener-Protected
MOSFET, N CH, 500V, 11A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Pd:30W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Dual Supply Voltage500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time23 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant