STMicroelectronics STF12NM50ND
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STF12NM50ND | 357 | 600 | Tray | 14h | |||||||
| Win Source | WS-STF12NM50ND | 6.000 | 21 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | STF12NM50ND | 15.988 | 7 | Tube | 20h | |||||||
| Esaler Electronic | STF12NM50ND | 1.000 | 11h | |||||||||
| Aztech | STF12NM50ND | 10.155 | 15h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF12NM50ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
11 A 500 V 0.38 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant