STMicroelectronics STF12N65M2
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF12N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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MOSFET, N-CH, 650V, 8A, 150DEG C, 25W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.42ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max500 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm