STMicroelectronics STF11NM50N
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Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STF11NM50N | 0 | 1 | 20h | ||||||||
| Newark | STF11NM50N | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | STF11NM50N | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | STF11NM50N | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Arrow Electronics | STF11NM50N | 0 | 1K |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF11NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
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Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance470 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance547 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max470 mΩ
Resistance470 MΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant