STMicroelectronics STF10N80K5
$ 1.481
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-15113-5-ND | 674 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | STF10N80K5 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | STF10N80K5 | 0 | 15 | Tube | ||||||||
| Avnet | STF10N80K5 | 0 | 1K | 21h | ||||||||
| Arrow Electronics | STF10N80K5 | 0 | 1K |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF10N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance470 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance635 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Resistance470 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
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