STMicroelectronics STD10P6F6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD3055-150T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.8W 23ns
STMicroelectronicsSTD12NF06LT4
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD10P6F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in DPAK package
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFETs; STD10P6F6; STMICROELECTRONICS; -60 V; -10 A; 20 V; 35 W
MOSFET P-Ch 60V 10A STripFET F6 DPAK
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Power MOSFETs, -60V, -10A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
STMicroelectronics PChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=60 V, 10 A, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin
10A 60V P-CHANNEL DPAK POWER M
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance116 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance340 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation35 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance180 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time16.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant