STMicroelectronics STD10NM65N
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
onsemiFCD380N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD10NM65N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET
STD10NM65N N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 650 V, 3-Pin TO-252
MOSFET, N CH, 650V, 9A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:9A; On Resistance Rds(on):0.43ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation90 W
Rds On Max480 mΩ
Resistance480 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant